Химическое никелирование поверхности искусственных алмазов
Покрытия осаждают из сульфамидного электролита с органическими добавками при 45-50 °С, катодной плотности тока 0,5 А/дм2 (в первые 10-15 мин процесса), а затем при 2 А/дм2. Из этого электролита при указанных режимах получают покрытия с низкими внутренними напряжениями.
Химическое никелирование поверхности искусственных алмазов, создающее вокруг их зерен металлическую оболочку, предназначено для повышения прочности сцепления между алмазными зернами и связкой, отвода образующегося в процессе резания тепла от их режущих кромок и предохранения осколков разрушившихся алмазных зерен от выпадения из сравнительно мягкой органической связки. Все это способствует повышению режимов резания и более длительному удержанию зерен искусственных алмазов в шлифовальном круге.
Технология химического никелирования искусственных алмазов включает в себя операции обезжиривания в 15-17%-ном растворе едкого или углекислого натра при температуре 40-50 °С до полного смачивания поверхности алмазных зерен, промывки в горячей проточной воде, сенсибилизации в течение 1-2 мин в растворе из 10 г/л хлористого олова и 40 мл/л соляной кислоты при комнатной температуре, последующей промывки и активирования в растворе 1 г/л хлористого палладия и 10 мл/л соляной кислоты при комнатной температуре в течение 1-3 мин. Двукратное химическое никелирование (предварительное и окончательное) производят в одном из описанных выше щелочных растворов. Можно также производить химическое никелирование алмазов в растворах с концентрацией ионов гипофосфита в пределах 0,001-0,035 моль при молярном соотношении между ионами никеля и гипофосфита в пределах 0,04-0,25; 0,04-7,0 и 1,6-6,0.